近日，台积电在IEDM 2023国际电子元件会议上透露，其1.4nm制程节点的研发工作已全面展开，并表示下一代的2nm制程节点将在2025年实现量产。这是台积电首次对外披露A14工艺的情况。
据消息人士称，A14工艺的具体规格和量产时间目前还不清楚。然而，可以确定的是该工艺将依赖于第二代或第三代Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。此外，也不清楚台积电是否会在A14工艺上启用High-NA EUV光刻机，但这种新设备的引入可能会为芯片设计人员和制造商带来一些新的挑战。
与三星的技术路线图相似，台积电计划在2027年推出SF1.4工艺（即1.4nm级别），纳米片的数量从3个增加到4个，这有望显著改善性能和功耗的表现。因此，在时间上来看，台积电的A14工艺应该与三星的SF1.4工艺相当。
对于外界盛传三星在2nm上采取降价策略以抢夺订单的说法，台积电董事长刘德音表示“客户还是看技术的质量”，这似乎表明他们对下一代工艺非常有信心。
台积电正致力于探索下一代堆叠式CFET架构晶体管技术，并计划在2025年底量产N2工艺和2026年底量产N2P工艺。至于A14工艺的具体情况目前还无法确定，但可以预见的是该工艺将在未来两三年内推出。
值得一提的是，在IEEE国际电子元件会议（IEDM 2023）上，三星公布了未来的技术路线图，并展示了其先进的第二代gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。这项技术被认为是现代半导体行业中最具有潜力的创新之一。
综上所述，台积电正在推进其1.4nm和2nm制程节点的研发工作，并展示出了对这些先进技术的坚定信心。虽然具体情况仍待揭晓，但可以期待这些新技术将会带来性能、功耗和功能方面的显著提升。
